研究部門のみなさまへ
実験や研究について、是非ご相談ください
大手企業の研究機関や大学の皆様、このページをご覧頂きありがとうございます。ここに書いてあることは、弊社ケニックシステムは大手企業の研究機関や大学とのおつきあいが結構あって、開示できないことが非常に残念ですが、弊社のような小さな会社でも、世界で唯一のノウハウをいくつも保有しています。
そのノウハウを含めて、弊社が得意なものは以下の通りですので、もし使えそうなものがあったら、是非お問い合わせ下さい。
- リチウム電池の実験用モニタ回路
- 新素材電池の充放電試験装置
- レーザーダイオードの超精密駆動
- ハイパワーLEDの超精密実験回路
- 新方式、新製品予定のGaNトランジスタ、SiCトランジスタの実験装置
- 高効率DC/DCコンバータの実験
- 人工衛星等に使う真空中での稼働回路の設計やフォールトトレラントの設計
最後に、弊社は丁寧な実験結果と提案力について高いご評価を頂いております。実験や研究について、是非ご相談ください。
① SiC 大電力スイッチ
② SiC三相インバータ
SiCトランジスタによる三相インバータの実験風景です。
さすがに高速スイッチング向けなので、SiCトランジスタの放熱は殆ど必要ないレベルでした。
写真左側は三相交流の電子負荷とハイパワー安定化電源を使って実験をしているところです。交流電子負荷はU,V,W相それぞれに交流単相電子負荷を接続して使います。この装置、どえらい出費でした。
写真右側は出力部の拡大写真です。
③ ハイパワーレーザーダイオード試験装置
この基板はレーザーダイオードの精密通電試験に使っています。
26出力で各5A出せます。精度はなんと5Aに対して±1mA以下です。全出力時はGNDに130Aの電流が流れ込みます。それにも関わらずこの精度はすごいと思いませんか?
写真左側は弊社が特注している精密抵抗が並んだ基板の様子。右の写真は下から見た基板の裏面ですが、数mmの銅板が見えますか？こんな実装の芸当が出来るのは、弊社と一緒に頑張っている岡山の実装業者だけなんです。
④ GaNトランジスタの実験
弊社はGaNトランジスタの実験もかなり行っています。
市販されていないGaNトランジスタの性能評価は、まさに極秘レベルです。
おもしろいのは、実験レベルのGaNはゲート電圧が0Vでオン状態であることが殆どです。OFFさせるにはマイナス電位をゲートに印加する必要があります。ですから、ゲート電圧をちゃんとマイナスにして準備が整ってからドレン電圧を印加しないと、電源スイッチを入れたら、短絡していた、っていうトラブルになってしまいます。
実験方法も含めて弊社はいろいろ提案をさせて頂きながら、研究室のお客様と一緒に進めております。
左の写真は何だかわかりますか？
SiCトランジスタを20パラ×2直列で双方向の大電圧大電流のスイッチ回路を実験したときのもので、大手メーカー様のご依頼で詳細は明らかにできないものです。
たいへん貴重な、ON/OFFの過渡特性の実験結果が得られており、弊社のこれ以外のテーマを開発するときにも、これらの結果は大きな助けとなる裏付けデータです。